Avvistati i chip SK Hynix DDR5 A-Die da 3 GB di seconda generazione

Secondo quanto annunciato recentemente, è apparsa online una nuova generazione di memoria SK Hynix DDR5, identificata a quanto pare dalla marcatura X021 e da un nuovo codice componente AKBD. Tenete presente che SK Hynix non ha rilasciato alcun annuncio ufficiale riguardo al nuovo DDR5 A-Die da 3 Gb, ma l’immagine pubblicata ci fornisce alcuni indizi sul prossimo chip. Sappiamo dalla convenzione di denominazione di HK Hynix che coppie di lettere come EB, GB e HB corrispondono rispettivamente a velocità JEDEC di 4800, 5600 e 6400 MT/s. Pertanto, la nuova designazione “KB” probabilmente prosegue questo schema e rimanda alla velocità di 7200 MT/s, confermata anche da Kevin in una risposta. Detto questo, questo è in linea con la futura roadmap della piattaforma Intel, considerando che le CPU Arrow Lake Refresh e Panther Lake dovrebbero supportare velocità DDR5 di 7200 MT/s secondo il Plan of Record di Intel. Si tratta di un miglioramento significativo rispetto agli standard DDR5-5600 di Raptor Lake e DDR5-6400 di Arrow Lake. Ciò significa che i nuovi chip A-Die potrebbero diventare la base per i kit di memoria ad alta frequenza di prossima generazione per i prossimi processori Intel.

Tuttavia, un utente sottolinea che, poiché questo modulo sembra utilizzare un PCB a 8 strati, può influire sulla stabilità ad alte velocità di memoria. SK Hynix sembra aver prodotto campioni iniziali/precoci come questi, ma per sostenere elevate velocità di memoria, i PCB a 8 strati faticano a mantenere velocità superiori a 8000 MT/s, nonostante utilizzino i più recenti circuiti integrati A-Die. Quindi, il fattore limitante non è necessariamente il chip in sé, ma l’integrità del segnale e i limiti di erogazione di potenza dei PCB di livello inferiore.