SK Hynix aumenta la DRAM 1c a sei strati EUV?

Secondo quanto annunciato recentemente, SK Hynix sta pianificando un importante progresso con la DRAM 1c, che porterà i prodotti DDR5 e HBM a un livello di prestazioni più elevato e renderà l’azienda leader in questo segmento. Per chi non ha familiarità con la tecnologia EUV, il suo utilizzo è solitamente un processo complesso, dato che la sua lunghezza d’onda di 13,5 nm è mirata alla circuiteria più complessa, per stampare dettagli più fini con meno passaggi di multi-patterning. Tradizionalmente, la tecnologia DRAM prevedeva una combinazione di strati EUV e DUV, ma ora SK hynix prevede di passare completamente a sei strati EUV con 1c di DRAM, consentendo all’azienda di sviluppare prodotti con rese più elevate, prestazioni superiori e, naturalmente, margini di profitto più elevati.

È interessante notare che la DRAM 1c non è ancora utilizzata in nessuna soluzione di memoria consumer convenzionale, ma SK Hynix sta esplorando diverse opzioni e potremmo vedere RAM DDR5 con capacità maggiori. L’impegno attuale verso EUV è piuttosto un approccio a lungo termine da parte del produttore, poiché con prodotti di nuova generazione come la DRAM 1d e 0a, l’azienda prevede di rendere EUV parte integrante delle tecnologie, consentendo in definitiva a SK Hynix di integrare anche EUV High-NA, su cui il colosso coreano sta lavorando in questo momento.